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PDTB113ET中文资料

PDTB113ET图片

PDTB113ET外观图

  • 大小：117.47KB
  • 厂家：nxp
  • 描述：PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
  • 典型电阻比：1
  • 典型输入电阻器：1 k
  • 安装类型：表面贴装
  • 宽度：1.4mm
  • 封装类型：TO-236AB
  • 尺寸：3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目：3
  • 晶体管类型：PNP
  • 最低工作温度：-65 °C
  • 最大发射极-基极电压：-10 V
  • 最大连续集电极电流：500 mA
  • 最大集电极-发射极电压：50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压：0.3 V
  • 最小直流电流增益：33
  • 最高工作温度：+150 °C
  • 配置：单
  • 长度：3mm
  • 高度：1mm

PDTB113ET供应商

更新时间:2023-01-04 09:52:30
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