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PDTB113ET中文资料

PDTB113ET图片

PDTB113ET外观图

  • 大小:117.47KB
  • 厂家:nxp
  • 描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm
  • 典型电阻比:1
  • 典型输入电阻器:1 k
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:1.4mm
  • 封装类型:TO-236AB
  • 尺寸:3 x 1.4 x 1mm
  • 引脚数目:3
  • 晶体管类型:PNP
  • 最低工作温度:-65 °C
  • 最大发射极-基极电压:-10 V
  • 最大连续集电极电流:500 mA
  • 最大集电极-发射极电压:50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压:0.3 V
  • 最小直流电流增益:33
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 配置:单
  • 长度:3mm
  • 高度:1mm

PDTB113ET供应商

更新时间:2023-01-04 09:52:30
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